正电子湮没诱发俄歇电子能谱装置的物理设计
文献类型:期刊论文
作者 | 秦秀波![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | 核技术
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出版日期 | 2009 |
期号 | 4页码:264-268 |
关键词 | 俄歇电子能谱 正电子湮没 飞行时间 能量分辨 法拉第筒 |
其他题名 | Physical design of the positron induced Auger electron spectrometer |
通讯作者 | 秦秀波 |
中文摘要 | 与X射线、高能电子或中子激发俄歇电子能谱相比,正电子湮没诱发俄歇电子能谱(PAES)具有极表面选择性、高信噪比、低辐照损伤等特点。本文介绍北京慢正电子强束流的PAES装置,采用4×10-3T磁场对正电子和俄歇电子进行输运,强弱磁场梯度对俄歇电子进行平行化,法拉第筒对俄歇电子的能量进行调制,使得整个系统的能量分辨优于2eV。 |
公开日期 | 2016-02-25 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222703] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_核技术应用研究中心 中国科学院高能物理研究所_中国散裂中子源 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦秀波,王平,姜小盼,等. 正电子湮没诱发俄歇电子能谱装置的物理设计[J]. 核技术,2009(4):264-268. |
APA | 秦秀波,王平,姜小盼,于润升,王宝义,&魏龙.(2009).正电子湮没诱发俄歇电子能谱装置的物理设计.核技术(4),264-268. |
MLA | 秦秀波,et al."正电子湮没诱发俄歇电子能谱装置的物理设计".核技术 .4(2009):264-268. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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