介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王巧占; 于润升 ; 秦秀波; 李玉晓; 王宝义; 贾全杰
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 12页码:8478-8483 |
| 关键词 | 同步辐射 X射线反射率 Doppler展宽 正电子素飞行时间谱 |
| 其他题名 | Pore structure determination of mesoporous SiO2 thin films by slow positron annihilation spectroscopy |
| 中文摘要 | 通过蒸发诱导自组装技术制备了具有不同有序结构的介孔SiO2薄膜,并采用同步辐射X射线反射率以及慢正电子束流技术对其进行表征.实验结果表明,随着旋涂速率的增加,介孔结构由三维立方向二维六角结构转变,同时平均孔隙率随转速增加而减小.利用各向同性无机孔收缩模型和Fourier变换红外光谱,探讨了薄膜结构和正电子湮没参数的内在联系. |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222738]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王巧占,于润升,秦秀波,等. 介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征[J]. 物理学报,2009(12):8478-8483. |
| APA | 王巧占,于润升,秦秀波,李玉晓,王宝义,&贾全杰.(2009).介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征.物理学报(12),8478-8483. |
| MLA | 王巧占,et al."介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征".物理学报 .12(2009):8478-8483. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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