Identification of pore size in porous SiO_2 thin film by positron annihilation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang Z(张哲); Qin XB(秦秀波) ; Wang DN(王丹妮); Yu RS(于润升); Wang QZ(王巧占); Ma YY(马雁云); Wang BY(王宝义)
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| 刊名 | 中国物理C
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 2页码:156-160 |
| 关键词 | Al-Si thin film porous SiO2 thin film positron annihilation |
| 通讯作者 | 王宝义 |
| 英文摘要 | Positron annihilation lifetime and Doppler broadening of annihilation line techniques have been used to obtain information about the small pore structure and size of porous SiO2 thin film produced by sputtered Al-Si thin film and etched Al-Si thin film. The film is prepared by an Al/Si 75:25 at.-% (... |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222758]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang Z,Qin XB,Wang DN,et al. Identification of pore size in porous SiO_2 thin film by positron annihilation[J]. 中国物理C,2009(2):156-160. |
| APA | 张哲.,秦秀波.,王丹妮.,于润升.,王巧占.,...&王宝义.(2009).Identification of pore size in porous SiO_2 thin film by positron annihilation.中国物理C(2),156-160. |
| MLA | 张哲,et al."Identification of pore size in porous SiO_2 thin film by positron annihilation".中国物理C .2(2009):156-160. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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