中子辐射对P型HPGe探测器的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张子良 ; 张建勇; 姜小盼; 秦秀波; 王宝义; 侯新生
|
| 刊名 | 核电子学与探测技术
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 4页码:577-580 |
| 关键词 | 中子损伤 P型HPGe 中子注量 能量分辨率 |
| 其他题名 | Effects of Neutron Damage on the P-HPGe Detector |
| 中文摘要 | 采用钚碳源(PuC)来刻度HPGe探测器,通过实验结果分析,探讨了快中子对HPGe探测器的损伤的影响以及石蜡材料对屏蔽中子的效应;研究了中子能量注量对P型高纯锗探测器HPGe的能量分辨率的影响,以及其能量分辨率随屏蔽材料厚度的变化关系。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222800]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_粒子天体物理中心 高能物理研究所_核技术应用研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张子良,张建勇,姜小盼,等. 中子辐射对P型HPGe探测器的影响[J]. 核电子学与探测技术,2010(4):577-580. |
| APA | 张子良,张建勇,姜小盼,秦秀波,王宝义,&侯新生.(2010).中子辐射对P型HPGe探测器的影响.核电子学与探测技术(4),577-580. |
| MLA | 张子良,et al."中子辐射对P型HPGe探测器的影响".核电子学与探测技术 .4(2010):577-580. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。