不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李卓昕 ; 王丹妮; 王宝义; 薛德胜; 魏龙; 秦秀波
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 9页码:6647-6652 |
| 关键词 | 电子偶素 正电子湮没谱学方法 多孔硅 |
| 其他题名 | Study of annihilation behavior of positronium in porous silicon in different atmospheres |
| 中文摘要 | 使用正电子湮没谱学方法,在不同气氛下对电化学腐蚀法制备的多孔硅中电子偶素的湮没行为进行了系统的研究.正电子湮没寿命谱测试结果表明,样品中存在长达40ns的电子偶素湮没成分,并且进入多孔硅膜层的正电子约有80%形成电子偶素,具有非常高的电子偶素产额;在氧气气氛下,由于气体导致o-Ps发生自旋转化猝灭是使多孔硅样品中电子偶素寿命缩短的主要原因.结合正电子寿命-动量关联谱测量结果,分析了不同气氛下多孔硅样品中电子偶素湮没寿命及动量变化关系,讨论了多孔硅中电子偶素的湮没机理以及气氛对孔径计算理论模型的影响. |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222825]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_核技术应用研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李卓昕,王丹妮,王宝义,等. 不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究[J]. 物理学报,2010(9):6647-6652. |
| APA | 李卓昕,王丹妮,王宝义,薛德胜,魏龙,&秦秀波.(2010).不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究.物理学报(9),6647-6652. |
| MLA | 李卓昕,et al."不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究".物理学报 .9(2010):6647-6652. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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