水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李卓昕 ; 王丹妮; 王宝义; 薛德胜; 魏龙; 秦秀波
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 12页码:8915-8919 |
| 关键词 | 多孔硅 光致发光 正电子湮没谱 |
| 其他题名 | Positron annihilation study of photoluminescence of porous silicon treated by water vapor annealing |
| 中文摘要 | 使用正电子湮没寿命谱和正电子寿命-动量关联谱对水蒸气和真空条件下退火的多孔硅样品的微观缺陷结构进行表征,结合发射光谱测量结果,对影响多孔硅发光性能的因素进行了讨论.实验结果表明,水蒸气退火后样品孔壁表面的悬挂键减少,并出现新的E′γ和EX类缺陷.水蒸气退火后样品中两种缺陷数量发生变化是导致多孔硅样品发光增强的直接原因;真空退火未使样品中发光相关缺陷发生变化,样品的发光性能没有显著改变. |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222827]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_核技术应用研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李卓昕,王丹妮,王宝义,等. 水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究[J]. 物理学报,2010(12):8915-8919. |
| APA | 李卓昕,王丹妮,王宝义,薛德胜,魏龙,&秦秀波.(2010).水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究.物理学报(12),8915-8919. |
| MLA | 李卓昕,et al."水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究".物理学报 .12(2010):8915-8919. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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