Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李响; 安玉凯; 肖庆; 段岭申; 吴忠华 ; 刘技文
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| 刊名 | 光电子.激光
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| 出版日期 | 2011 |
| 期号 | 7页码:1038-1041 |
| 关键词 | SiC 稀磁半导体(DMS) Co掺杂 铁磁性 |
| 其他题名 | Magnetic and resistant properties of co-doped SiCDMS film |
| 中文摘要 | 采用射频磁控溅射法制备了不同Co掺杂浓度的SiC薄膜。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、Hall以及电阻率-温度(-ρT)曲线测试结果表明,Co掺杂SiC薄膜具有4H-SiC(100)晶体结构和典型的半导体导电特征,未发现Co金属团簇以及其它CoSi第二相化合物生成,显示了Co原子以替位掺杂的形式进入了SiC晶格;电流-电压(I-V)特性测试发现,Co掺杂SiC薄膜是一种非均匀掺杂;PPMS磁性测量表明,Co掺杂SiC薄膜具有明显的室温铁磁性,饱和磁化强度随着Co掺杂浓度的增加而增加,其铁磁性的来源符合缺陷机制的束缚磁极子(BMP)机制。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222866]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李响,安玉凯,肖庆,等. Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性[J]. 光电子.激光,2011(7):1038-1041. |
| APA | 李响,安玉凯,肖庆,段岭申,吴忠华,&刘技文.(2011).Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性.光电子.激光(7),1038-1041. |
| MLA | 李响,et al."Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性".光电子.激光 .7(2011):1038-1041. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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