阳极腐蚀法制备发光多孔硅的正电子湮没研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梁立欢 ; 李卓昕; 王宝义; 吴伟明
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| 刊名 | 广西大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 2011 |
| 期号 | 5页码:863-866 |
| 关键词 | 多孔硅 正电子湮没 电流密度 量子限制 阳极腐蚀 |
| 其他题名 | Positron annihilation technique study of porous silicon prepared by anodization methods |
| 通讯作者 | 梁立欢 |
| 中文摘要 | 使用正电子湮没寿命谱仪和真空紫外荧光光谱仪,对不同电流密度腐蚀条件下制备的多孔硅进行微结构及发光性能的表征,通过正电子湮没方法研究多孔硅微结构对多孔硅光致发光性能的影响。实验结果表明,随着腐蚀电流密度的增大,电子偶素在样品中的pick-off湮没寿命先增大后减小,同时样品的发光强度显示出相同趋势。可以推断,在腐蚀电流密度增加过程中,样品中硅纳米线尺寸逐渐减小,并且由于腐蚀作用增强而发生断裂,造成多孔硅层崩塌;样品的发光主要来源于纳米颗粒或纳米线的量子限制效应,并在颗粒最小时发光峰最强。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222869]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_核技术应用研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁立欢,李卓昕,王宝义,等. 阳极腐蚀法制备发光多孔硅的正电子湮没研究[J]. 广西大学学报(自然科学版),2011(5):863-866. |
| APA | 梁立欢,李卓昕,王宝义,&吴伟明.(2011).阳极腐蚀法制备发光多孔硅的正电子湮没研究.广西大学学报(自然科学版)(5),863-866. |
| MLA | 梁立欢,et al."阳极腐蚀法制备发光多孔硅的正电子湮没研究".广西大学学报(自然科学版) .5(2011):863-866. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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