高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 田雪雁; 赵谡玲; 徐征; 姚江峰; 张福俊; 贾全杰 ; 陈雨; 龚伟; 樊星
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2011 |
| 期号 | 5页码:655-660 |
| 关键词 | 高分子有机场效应晶体管 同步辐射掠入射X射线衍射 自组织 退火 |
| 其他题名 | Study of crystalline structure change of annealing-induced self-organization in polymer field-effect transistors |
| 中文摘要 | 为了进一步洞悉高分子薄膜自组织机理和高分子有机场效应晶体管(OFET)载流子迁移率之间的直接关联性,本工作采用先进的同步辐射掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,研究了高分子OFET中高分子半导体高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)工作层薄膜,由不同退火温度所导致的薄膜自组织微观结构的变化.GIXRD测试实验结果显示了,对于不同高分子薄膜制备方法(旋涂法及滴膜法)及不同溶液浓度(RR-P3HT溶液浓度为2.5mg/ml及3.5mg/ml)制备的RR-P3HT有机半导体工作层,在氮气气氛下,经过150℃热退火后,形成的噻吩环面垂直于基底,π-π堆积方向平行于衬底二维微晶粒薄片结构较多... |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222911]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田雪雁,赵谡玲,徐征,等. 高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究[J]. 物理学报,2011(5):655-660. |
| APA | 田雪雁.,赵谡玲.,徐征.,姚江峰.,张福俊.,...&樊星.(2011).高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究.物理学报(5),655-660. |
| MLA | 田雪雁,et al."高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究".物理学报 .5(2011):655-660. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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