缺电子Rh-BINAP催化剂催化氢化富电性底物的机理研究(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄碧玉; 吴海臣 ; 杨镜奎
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| 刊名 | 中国科学院研究生院学报
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 4页码:571-575 |
| 关键词 | 富电性底物 缺电子催化剂 不对称氢化 机理 |
| 其他题名 | Mechanistic study on hydrogenation of electron-rich substrates with electron-deficient Rh-BINAP catalyst |
| 通讯作者 | 黄碧玉 |
| 中文摘要 | 合成了4种富电性的脱氢α-氨基酸衍生物,将缺电子催化剂Rh-3,5-CF3-(R)-BINAP用于这几种底物的不对称氢化反应中.讨论了底物上取代基及空间位阻对对映选择性的影响. |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/223002]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄碧玉,吴海臣,杨镜奎. 缺电子Rh-BINAP催化剂催化氢化富电性底物的机理研究(英文)[J]. 中国科学院研究生院学报,2012(4):571-575. |
| APA | 黄碧玉,吴海臣,&杨镜奎.(2012).缺电子Rh-BINAP催化剂催化氢化富电性底物的机理研究(英文).中国科学院研究生院学报(4),571-575. |
| MLA | 黄碧玉,et al."缺电子Rh-BINAP催化剂催化氢化富电性底物的机理研究(英文)".中国科学院研究生院学报 .4(2012):571-575. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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