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CO/Cu多层膜反铁磁第一、第二峰耦合结构的磁电阻与结构研究

文献类型:期刊论文

作者谭伟石; 游彪; 张撷秋; 吴小山; 胡安; 蒋树声; 王俊; 贾全杰; 郑文莉; 姜晓明
刊名高能物理与核物理
出版日期2001
期号S1页码:105-109
关键词同步辐射衍射 金属多层膜 磁电阻
其他题名MAGNETORESISTANCE AND STRUCTURAL STUDIES ON Co/Cu MULTILAYERS WITH THE COMBINATION OF THE FIRST AND SECOND ANTIFERROMAGNETIC OSCILLATION PEAK
中文摘要确定了Co/Cu多层膜的第一和第二反铁磁耦合对应的非磁层(Cu)的厚度,对相同厚度铁磁层(C0)制备了第一与第二反铁磁耦合的Co/Cu多层膜,利用同步辐射掠入射x射线散射(衍射)技术研究了耦合多层膜的界面结构,探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因.
公开日期2016-02-25
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/223177]  
专题高能物理研究所_多学科研究中心
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
推荐引用方式
GB/T 7714
谭伟石,游彪,张撷秋,等. CO/Cu多层膜反铁磁第一、第二峰耦合结构的磁电阻与结构研究[J]. 高能物理与核物理,2001(S1):105-109.
APA 谭伟石.,游彪.,张撷秋.,吴小山.,胡安.,...&姜晓明.(2001).CO/Cu多层膜反铁磁第一、第二峰耦合结构的磁电阻与结构研究.高能物理与核物理(S1),105-109.
MLA 谭伟石,et al."CO/Cu多层膜反铁磁第一、第二峰耦合结构的磁电阻与结构研究".高能物理与核物理 .S1(2001):105-109.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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