正电子湮没技术用于缺陷引起的稀磁半导体铁磁性起源的研究
文献类型：项目
| 作者 | 秦秀波 |
| 发表日期 | 2011 |
| 结束日期 | 2013-12-31 |
| 关键词 | 正电子湮没 室温稀磁半导体 缺陷表征 铁磁性 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/198687]  |
| 专题 | 多学科研究中心_项目/基金 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦秀波.正电子湮没技术用于缺陷引起的稀磁半导体铁磁性起源的研究.2011. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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