微重力生长HgCdTe材料的微观缺陷
文献类型：期刊论文
| 作者 | 魏龙 ; 王文华; 王宝义; 巨新; 吴忠华; 奎热西; 李毅军; 谈晓臣; 马勉军
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 6页码:381-383 |
| 关键词 | 微重力 缺陷 碲镉汞 |
| 其他题名 | STUDY OF DEFECTS IN HgCdTe GROWN UNDER MICRO-GRAVITY |
| 通讯作者 | 王宝义 |
| 中文摘要 | 采用正电子湮没寿命谱方法对空间微重力及重力条件下生长的呼银汞（MCT）材料中的微观缺陷进行了研究。结果表明，在空间微重力条件下生长的MCT晶体中，其空位型缺陷浓度低于地球上有重句条件下生长的晶体，并且缺陷浓度沿轴向的分布比较均匀。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221770]  |
| 专题 | 高能物理研究所_核技术应用研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏龙,王文华,王宝义,等. 微重力生长HgCdTe材料的微观缺陷[J]. 核技术,2000(6):381-383. |
| APA | 魏龙.,王文华.,王宝义.,巨新.,吴忠华.,...&马勉军.(2000).微重力生长HgCdTe材料的微观缺陷.核技术(6),381-383. |
| MLA | 魏龙,et al."微重力生长HgCdTe材料的微观缺陷".核技术 .6(2000):381-383. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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