GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张明兰; 杨瑞霞; 李卓昕 ; 曹兴忠; 王宝义; 王晓晖
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2013 |
| 期号 | 11页码:435-438 |
| 关键词 | GaN 缺陷 质子 辐照 |
| 其他题名 | Study on proton irradiation induced defects in GaN thick film |
| 中文摘要 | 本文采用正电子湮没谱研究质子辐照诱生缺陷,实验发现:能量为5MeV的质子辐照在GaN厚膜中主要产生的是Ga单空位,没有双空位或者空位团形成;在10K测试的低温光致发光谱中,带边峰出现了"蓝移",辐照后黄光带的发光强度减弱,说明黄光带的起源与Ga空位(VGa)之间不存在必然的联系,各激子发光峰位置没有改变,仅强度随质子注量发生变化;样品(0002)面双晶XRD扫描曲线的半峰宽在辐照后明显增大,说明质子辐照对晶格的周期性产生了影响,薄膜晶体质量下降. |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/223068]  |
| 专题 | 高能物理研究所_核技术应用研究中心 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张明兰,杨瑞霞,李卓昕,等. GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究[J]. 物理学报,2013(11):435-438. |
| APA | 张明兰,杨瑞霞,李卓昕,曹兴忠,王宝义,&王晓晖.(2013).GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究.物理学报(11),435-438. |
| MLA | 张明兰,et al."GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究".物理学报 .11(2013):435-438. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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