B和H离子顺次注入单晶Si引起的缺陷及其热演变（英文）
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张蓓; 张鹏; 王军; 朱飞; 曹兴忠 ; 王宝义; 刘昌龙
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| 刊名 | 原子核物理评论
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| 出版日期 | 2013 |
| 期号 | 4页码:471-476 |
| 关键词 | 单晶Si B和H离子注入 H板层缺陷 XTEM SPAT |
| 其他题名 | Thermal Evolution of Defects in Crystalline Silicon by Sequential Implantation of B and H IONS |
| 中文摘要 | 室温下将130 keV,5×1014cm 2B离子和55 keV,1×1016cm 2H离子单独或顺次注入到单晶Si中,采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT)研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示,B和H离子顺次注入到单晶Si可有效减少(111)取向的H板层缺陷,并促进了(100)取向的H板层缺陷的择优生长。SPAT观测结果显示,在顺次注入的样品中,B离子平均射程处保留了大量的空位型缺陷。以上结果表明,B离子本身及B离子注入所产生的空位型缺陷对板层缺陷的生长起到了促进作用。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/223072]  |
| 专题 | 高能物理研究所_核技术应用研究中心 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张蓓,张鹏,王军,等. B和H离子顺次注入单晶Si引起的缺陷及其热演变（英文）[J]. 原子核物理评论,2013(4):471-476. |
| APA | 张蓓.,张鹏.,王军.,朱飞.,曹兴忠.,...&刘昌龙.(2013).B和H离子顺次注入单晶Si引起的缺陷及其热演变（英文）.原子核物理评论(4),471-476. |
| MLA | 张蓓,et al."B和H离子顺次注入单晶Si引起的缺陷及其热演变（英文）".原子核物理评论 .4(2013):471-476. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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