SULFIDE-ASSISTED REORDERING AT THE INP SURFACE AND SINX/INP INTERFACE
文献类型：期刊论文
| 作者 | KWOK RWM ; JIN G ; SO BKL ; HUI KC ; HUANG L ; LAU WM ; HSU CC ; LANDHEER D |
| 刊名 | journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 13期号:3页码:652-657 |
| 关键词 | RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY INSULATOR-SEMICONDUCTOR STATES SULFUR PASSIVATION MODEL |
| ISSN号 | 0734-2101 |
| 通讯作者 | kwok rwm chinese univ hong kongdept chemsha tinhong kong. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15549]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KWOK RWM,JIN G,SO BKL,et al. SULFIDE-ASSISTED REORDERING AT THE INP SURFACE AND SINX/INP INTERFACE[J]. journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films,1995,13(3):652-657. |
| APA | KWOK RWM.,JIN G.,SO BKL.,HUI KC.,HUANG L.,...&LANDHEER D.(1995).SULFIDE-ASSISTED REORDERING AT THE INP SURFACE AND SINX/INP INTERFACE.journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films,13(3),652-657. |
| MLA | KWOK RWM,et al."SULFIDE-ASSISTED REORDERING AT THE INP SURFACE AND SINX/INP INTERFACE".journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films 13.3(1995):652-657. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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