APPLICATION OF SUPERLATTICES TO THE INVESTIGATION OF RESONANT DEFECT IN GAAS-LAYERS
文献类型：期刊论文
| 作者 | FENG SL ; ZHOU J ; LU LW |
| 刊名 | applied physics letters
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 66期号:17页码:2256-2258 |
| 关键词 | IRRADIATION-INDUCED DEFECTS |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 通讯作者 | feng sl chinese acad sciinst semicondnatl lab superlattices & microstructpob 912beijing 100083peoples r china. |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15567]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FENG SL,ZHOU J,LU LW. APPLICATION OF SUPERLATTICES TO THE INVESTIGATION OF RESONANT DEFECT IN GAAS-LAYERS[J]. applied physics letters,1995,66(17):2256-2258. |
| APA | FENG SL,ZHOU J,&LU LW.(1995).APPLICATION OF SUPERLATTICES TO THE INVESTIGATION OF RESONANT DEFECT IN GAAS-LAYERS.applied physics letters,66(17),2256-2258. |
| MLA | FENG SL,et al."APPLICATION OF SUPERLATTICES TO THE INVESTIGATION OF RESONANT DEFECT IN GAAS-LAYERS".applied physics letters 66.17(1995):2256-2258. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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