博士论文-中国散裂中子源RCS注入系统物理设计与研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 邱静
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| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 方守贤 ; 唐靖宇 |
| 关键词 | H-剥离注入 横向相空间涂抹 分布的均匀性评估参数 RF俘获 剥离膜 |
| 学位专业 | 核技术及应用 |
| 中文摘要 | 注入系统是中国散裂中子源（CSNS）研究和设计的关键之一，因为空间电荷效应使得注入成为束流损失最大的阶段之一，而束流损失造成的辐射问题是限制高功率质子加速器的重要因素。; CSNS加速器系统由80 MeV的直线加速器和1.6 GeV的快循环同步加速器（RCS）构成，其中RCS采用H-剥离注入，以满足CSNS在第一阶段内累积粒子数至1.88 1013，第二阶段至3.76 1013。整个注入系统放在一个9 m长的消色散直线节中，既可以充分节省RCS环的纵向空间，也使得对注入系统的操作与对RCS主体的操作完全独立。; 为了减小由空间电荷效应带来的束流损失，采用将注入束流在横向相空间涂抹的方法，粒子注入后，由于束流相空间分布的均匀性直接关系到累积束流空间电荷效应造成的自由振荡频率弥散，所以为了降低由空间电荷效果引起的工作点漂移和工作点弥散，束流分布的均匀性很重要。本论文工作首次引入了评估束流分布均匀性的三个参数，可以更定量地优化注入涂抹过程。; 为了抑制注入过程和随后的RF俘获过程中束流发射度和束晕的增长，采用ORBIT程序进行三维模拟，比较了不同涂抹方案、不同涂抹轨道、不同工作点、不同注入峰值流强、不同斩波调制比、不同RF电压以及不同动量偏离得到的注入结果，从而优化了注入涂抹方案，并且可以作为将来优化纵向电压曲线，减小束流损失的重要参考。; 剥离膜也是注入系统的关键性元件，其工作状态是影响加速器的运行效率的因素之一。论文也介绍了对RCS剥离膜的材料和厚度的选择，并采用ANSYS程序计算剥离膜温度的最大值和变化规律。 |
| 学科主题 | 核技术及应用 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/209484]  |
| 专题 | 加速器中心_学位论文和出站报告 高能物理研究所_加速器中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邱静. 博士论文-中国散裂中子源RCS注入系统物理设计与研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2007. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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