INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING IN GAAS-ALGAAS MODULATION-DOPED HETEROSTRUCTURES
文献类型：期刊论文
| 作者 | YANG B ; CHENG YH ; WANG ZG ; LIANG JB ; LIAO QW ; LIN LY ; ZHU ZP ; XU B ; LI W |
| 刊名 | applied physics letters
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 65期号:26页码:3329-3331 |
| 关键词 | GAAS/ALXGA1-XAS HETEROJUNCTION ELECTRON-MOBILITY QUANTUM WELLS |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 通讯作者 | yang b chinese acad sciinst semicondsemicond mat sci labpob 912beijing 100083peoples r china. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15611]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YANG B,CHENG YH,WANG ZG,et al. INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING IN GAAS-ALGAAS MODULATION-DOPED HETEROSTRUCTURES[J]. applied physics letters,1994,65(26):3329-3331. |
| APA | YANG B.,CHENG YH.,WANG ZG.,LIANG JB.,LIAO QW.,...&LI W.(1994).INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING IN GAAS-ALGAAS MODULATION-DOPED HETEROSTRUCTURES.applied physics letters,65(26),3329-3331. |
| MLA | YANG B,et al."INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING IN GAAS-ALGAAS MODULATION-DOPED HETEROSTRUCTURES".applied physics letters 65.26(1994):3329-3331. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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