硕士论文-BEPCII超导腔高频输入耦合器结构及性能分析
文献类型：学位论文
| 作者 | 钟娟 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 潘卫民 |
| 关键词 | BEPCII 耦合器 MP现象 传输特性 热分布 |
| 学位专业 | 核技术及应用 |
| 中文摘要 | 在高频加速系统中，加速腔的输入耦合器是至关重要的部分之一， 其性能直接影响高频功率的耦合和加速腔的特性。北京正负电子对撞机重大改造工程（BEPCII）将采用两个频率500MHz超导高频腔替代原有的200MHz常温腔系统。超导高频加速腔采用的是同轴天线型功率输入耦合器，要求传输130kW以上的高频功率，这是首次在国内采用的500MHz频率的大功率耦合器。本论文对这种大功率耦合器进行了多方面的性能研究，为进行BEPCII超导腔耦合器的改进设计提供了理论依据。具体工作包括：1）BEPCII超导腔耦合器的二次电子倍增效应计算，得出耦合器的二次电子倍增情况。2）BEPCII超导腔耦合器的传输特性研究，给出结构优化方案。3）BEPCII超导腔耦合器热分布计算，提供冷却设计方案。; 在二次电子倍增研究方面，通过软件计算找出了耦合器发生二次电子倍增效应的功率点，在此期间，对比在日本KEK进行的耦合器高功率老练（一种抑制二次电子倍增效应的方法）数据，数据表明，此耦合器的确存在多个功率点的二次电子倍增效应，验证了计算结果的可靠性。; 在传输特性研究方面，通过计算耦合器门扭结构各尺寸与传输特性的关系，找到了对传输特性影响较大的结构尺寸，并对这些尺寸进行了优化设计，使得耦合器在BEPCII工作频率（499.8MHz）下更有效的传输。; 在热分布研究方面，通过电磁场计算得到了耦合器的空间电磁场分布，并根据电磁场分析结果计算得出了耦合器上的热损耗分布，为校核和改进冷却设计和布局的合理性提供了重要的依据。 |
| 学科主题 | 核技术及应用 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/209894]  |
| 专题 | 加速器中心_学位论文和出站报告 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟娟. 硕士论文-BEPCII超导腔高频输入耦合器结构及性能分析[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2006. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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