Z扫描法研究nc-Si/SiN_x多量子阱材料非线性光学特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 沈海波 ; 郭亨群 ; 王国立 ; 王加贤 ; 吴志军 ; 宋江婷 ; 徐骏 ; 陈坤基 ; 王启明 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 30期号:6页码:878-882 |
| 中文摘要 | 采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Si/SiN_x多量子阱材料.对样品进行了小角度XRD、Raman光谱、吸收光谱测试,研究了其结构和光学性质.采用皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了样品在非共振吸收区的三阶非线性光学特性.实验结果表明,其非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收.由实验数据计算得材料三阶非线性极化率为7.50×10~(-8)esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率大4个数量级.对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应增强. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家"973"计划项目,集成光电子国家联合重点实验室开放课题,国家自然科学基金重点项目,华侨大学科研基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15621]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈海波,郭亨群,王国立,等. Z扫描法研究nc-Si/SiN_x多量子阱材料非线性光学特性[J]. 半导体光电,2009,30(6):878-882. |
| APA | 沈海波.,郭亨群.,王国立.,王加贤.,吴志军.,...&王启明.(2009).Z扫描法研究nc-Si/SiN_x多量子阱材料非线性光学特性.半导体光电,30(6),878-882. |
| MLA | 沈海波,et al."Z扫描法研究nc-Si/SiN_x多量子阱材料非线性光学特性".半导体光电 30.6(2009):878-882. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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