Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨威 ; 姬扬 ; 罗海辉 ; 阮学忠 ; 王玮竹 ; 赵建华 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 58期号:12页码:8560-8565 |
| 中文摘要 | 建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声性质.通过测量(Ga,Mn)As材料的自发噪声谱,发现(Ga,Mn)As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低(Ga,Mn)As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的(Ga,Mn)As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异:当频率低于30 kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30 kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30 kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解(Ga,Mn)As磁性起源的物理机制. |
| 英文摘要 | 建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声性质.通过测量(Ga,Mn)As材料的自发噪声谱,发现(Ga,Mn)As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低(Ga,Mn)As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的(Ga,Mn)As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异:当频率低于30 kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30 kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30 kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解(Ga,Mn)As磁性起源的物理机制.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 12:59:35导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T04:59:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3609.pdf: 1068951 bytes, checksum: 69419f58ca48f04e0316ad65b47f23a6 (MD5) Previous issue date: 2009; 国家自然科学基金; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15631]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨威,姬扬,罗海辉,等. Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质[J]. 物理学报,2009,58(12):8560-8565. |
| APA | 杨威,姬扬,罗海辉,阮学忠,王玮竹,&赵建华.(2009).Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质.物理学报,58(12),8560-8565. |
| MLA | 杨威,et al."Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质".物理学报 58.12(2009):8560-8565. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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