博士论文-BEPCII超导高频腔结构优化设计研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李中泉
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| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2003 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 张闯 |
| 关键词 | 超导腔 高次模 输入藕合器 电子多次倍增 |
| 学位专业 | 核技术及应用 |
| 中文摘要 | 超导高频腔是粒子加速器技术发展的前沿技术，研究和应用超导腔是提高加速器性能的重要途径，超导腔是未来高能和强流加速器的重要部件。本文对50OMHz超导腔用于BEPCII工程的方案从技术方面进行了详细的讨论和分析，并从BEPCII设计参数的要求出发，分析了在BEPCII上使用超导腔的可行性和优越性。基于目前在强流加速器上使用的KEKB 509MHz和CESRIII 50OMHz超导腔型的结构，论文研究了典型的腔型结构参数对腔各方面性能的影响，尤其是不同腔型尺寸对腔的谐振模式性能的影响，提出了几种用于BEPCH的500MHz超导腔的结构优化方案。结合BEPCI工的设计参数，论文对其中一种腔型在BEPCH上使用时加速模式的微波性能、高次模的抑制效果以及高次模对储存流强闺值的限制等方面进行了分析，并在铝模型腔上测量了加铁氧体高次模抑制器前后，超导腔中各种谐振模式的有载品质因子及其频率的分布。同时，基于KEKB 509MHz超导腔的同轴输入藕合器及其转换门钮的结构，提出了能够用于BEPCH的500MHz输入祸合器和转换门钮的结构尺寸。通过对三维电磁场的模拟计算，对比分析了三种输入祸合器转换门钮的微波传输性能，得到了满意的结果。此外，论文还对所设计的腔型在各种工作受力条件下的腔体力学性能进行了分析和校核，对腔体的频率调谐特性进行了估计，对腔体表面发生电子多次倍增效应的现象进行了分析和模拟，还对超导腔磁屏蔽的要求和方法进行了讨论，所有的结果都能够满足设计的要求。 |
| 学科主题 | 核技术及应用 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/210449]  |
| 专题 | 加速器中心_学位论文和出站报告 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李中泉. 博士论文-BEPCII超导高频腔结构优化设计研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2003. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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