中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
80 MeV电子打靶次级中子产额和角分布的测量

文献类型:期刊论文

作者吴靖民; 李建平; 雷传蘅; 刘列夫
刊名高能物理与核物理
出版日期1987
期号4页码:433-436
关键词中子产额 MeV 活化探测器 角分布 电子能量 电子直线加速器 光核反应 子场 慢化 厚靶
其他题名YIELD AND ANGULAR DISTRIBUTION MEASUREMENT OF NEUTRON RELEASED BY 80MEV ELECTRON INCIDENT ON TARGET
通讯作者吴靖民
中文摘要本实验采用包有慢化体的铟活化探测器测量80 MeV电子打铅厚靶后次级中子的产额和角分布.测得次级中子按各向同性分布,中子产额为(2.20±0.13)×10~(12)n/s·kW,与理论计算结果相符. 本文还就铟活化探测器是否适用于电子直线加速器中子场的测量问题进行了讨论,认为在电子能量小于100 MeV时该方法是可行的.
公开日期2016-02-25
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/217007]  
专题高能物理研究所_加速器中心
推荐引用方式
GB/T 7714
吴靖民,李建平,雷传蘅,等. 80 MeV电子打靶次级中子产额和角分布的测量[J]. 高能物理与核物理,1987(4):433-436.
APA 吴靖民,李建平,雷传蘅,&刘列夫.(1987).80 MeV电子打靶次级中子产额和角分布的测量.高能物理与核物理(4),433-436.
MLA 吴靖民,et al."80 MeV电子打靶次级中子产额和角分布的测量".高能物理与核物理 .4(1987):433-436.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。