CVD制备SiO_x纳米线的各个生长阶段的直接实验证据
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴燕 ; 黄胜利 ; 朱贤方 ; 李论雄 ; 王占国 ; 王连洲 |
| 刊名 | 科学通报
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 54期号:19页码:2988-2992 |
| 中文摘要 | 在纳米线的制备中,气-液-固(VLS)生长机制得到了人们的广泛认可,但该机制的很多细节还停留在模型阶段.依托实验室自行设计的一台生长条件高度可控的高温化学气相沉积(CVD)系统,采用较为简便的方法,直接在Si片衬底上制备出了SiO_x纳米线.通过严格控制实验参数,用离位观测捕捉到了纳米线的催化、形核和长大的一系列过程及其相关细节,并发现纳米线从细到粗的气-液-固(VLS)生长机制.讨论了气-液-固(VLS)机制中气态Si原子的来源以及纳米线的催化、形核和长大过程中的纳米曲率效应和"纳米熟化"现象,取得了对SiO_x纳米线VLS催化生长机制的理解的突破. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家科技计划国际科技合作与交流专项,国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金,中澳科技合作特别基金,教育部科技重点项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15685]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴燕,黄胜利,朱贤方,等. CVD制备SiO_x纳米线的各个生长阶段的直接实验证据[J]. 科学通报,2009,54(19):2988-2992. |
| APA | 吴燕,黄胜利,朱贤方,李论雄,王占国,&王连洲.(2009).CVD制备SiO_x纳米线的各个生长阶段的直接实验证据.科学通报,54(19),2988-2992. |
| MLA | 吴燕,et al."CVD制备SiO_x纳米线的各个生长阶段的直接实验证据".科学通报 54.19(2009):2988-2992. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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