BTCF上离子引起的束流不稳定性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 罗云; 张闯 ; 国智元
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| 刊名 | 高能物理与核物理
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| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 5页码:437-442 |
| 关键词 | 离子俘获 快束流-离子不稳定性 强弱作用模型 |
| 其他题名 | Study of Ion Induced Instability in BTCF |
| 通讯作者 | 罗云 |
| 中文摘要 | 对所设计的北京τ 粲工厂 (BTCF)高亮度对撞模式下电子环中的离子引起的束流不稳定性做了研究 .计算了不同束团填充空隙下的离子俘获比 ,然后用自编的模拟程序对BTCF上快束流 -离子不稳定性做了模拟跟踪 ,得到的快束流 -离子不稳定性的增长时间和理论解析计算值基本一致 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/217147]  |
| 专题 | 高能物理研究所_加速器中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗云,张闯,国智元. BTCF上离子引起的束流不稳定性研究[J]. 高能物理与核物理,2001(5):437-442. |
| APA | 罗云,张闯,&国智元.(2001).BTCF上离子引起的束流不稳定性研究.高能物理与核物理(5),437-442. |
| MLA | 罗云,et al."BTCF上离子引起的束流不稳定性研究".高能物理与核物理 .5(2001):437-442. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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