CSNS四极陶瓷真空盒磁控溅射镀TiN膜研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王梨兵; 董海义 ; 裴国玺; 杨奇
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| 刊名 | 原子能科学技术
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| 出版日期 | 2011 |
| 期号 | 1页码:90-93 |
| 关键词 | TiN膜 四极陶瓷真空盒 磁控溅射 绝缘体 长直管道 |
| 其他题名 | TiN Coating of CSNS Alumina Ceramics Vacuum Chambers for Quadrupole Magnets by Magnetron Sputtering |
| 通讯作者 | 王梨兵 |
| 中文摘要 | 介绍了中国散裂中子源(CSNS)快循环同步加速器(RCS)中四极陶瓷真空盒内表面镀TiN膜技术与成膜系统装置。采用磁控溅射法,通过在绝缘体长直管道外表面安装金属屏幕罩来提供同轴电场的方法,解决了镀膜均匀性的问题。镀膜样品Ti、N比在0.9～1.1范围内,膜厚为100nm左右,附着力达到要求,总体满足设计指标,完成了CSNS四极陶瓷真空盒样机的镀膜。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/217184]  |
| 专题 | 高能物理研究所_加速器中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王梨兵,董海义,裴国玺,等. CSNS四极陶瓷真空盒磁控溅射镀TiN膜研究[J]. 原子能科学技术,2011(1):90-93. |
| APA | 王梨兵,董海义,裴国玺,&杨奇.(2011).CSNS四极陶瓷真空盒磁控溅射镀TiN膜研究.原子能科学技术(1),90-93. |
| MLA | 王梨兵,et al."CSNS四极陶瓷真空盒磁控溅射镀TiN膜研究".原子能科学技术 .1(2011):90-93. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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