LIA注入器发射度增长机理研究及其抑制措施
文献类型：期刊论文
| 作者 | 代志勇; 国智元; 章林文 |
| 刊名 | 高能物理与核物理
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 9页码:1002-1006 |
| 关键词 | 直线感应加速器 轴对称直流束 发射度增长 控制措施 |
| 其他题名 | Mechanism and Control Methods of Emittance Growth for LIA Injector |
| 通讯作者 | 代志勇 |
| 中文摘要 | 根据直线感应加速器 (LIA)的特点采用了轴对称直流模型 ,结合E .P .Lee的理论导出了发射度增长的微分方程 ,提出了一种直线感应加速器发射度增长的机理 ,根据该机理计算了从均匀分布到高斯分布的演变过程中发射度增长的大小 ,指出直线感应加速器 (LIA)注入器阶段束流发射度增长主要是由于非线性效应导致的束刨面电流密度分布变化引起的 .根据研究结果 ,提出了相应的抑制发射度增长的措施 . |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/217249]  |
| 专题 | 高能物理研究所_加速器中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 代志勇,国智元,章林文. LIA注入器发射度增长机理研究及其抑制措施[J]. 高能物理与核物理,2004(9):1002-1006. |
| APA | 代志勇,国智元,&章林文.(2004).LIA注入器发射度增长机理研究及其抑制措施.高能物理与核物理(9),1002-1006. |
| MLA | 代志勇,et al."LIA注入器发射度增长机理研究及其抑制措施".高能物理与核物理 .9(2004):1002-1006. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。