Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 颜廷静 ; 陈良惠
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| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 30期号:4页码:541-545 |
| 中文摘要 | 在p-GaN上蒸发Ni/Au电极前,采用王水、HCl、缓冲HF进行前表面处理,O_2气氛下退火后,比较各电极样品的I-V特性和表面形貌.结果显示无表面处理时接触电阻最小,且溶剂处理后残留的电解质会影响电极的电流特性和稳定性.用俄歇电子能谱(AES)测试不同元素随深度分布情况,发现高温退火过程中NiO的形成有自动清洁p-GaN表面的作用,因此对于Ni基电极前表面处理不是必需的.再将样品用10%草酸溶液处理,其I-V特性显示接触电阻率明显下降;X射线光电子能谱(XPS)测试显示草酸溶液处理后电极表面Ni含量显著减少,而Au元素信号峰增强,说明表面高阻P型NiO被有效除去,对改善接触性能具有实际意义. |
| 英文摘要 | 在p-GaN上蒸发Ni/Au电极前,采用王水、HCl、缓冲HF进行前表面处理,O_2气氛下退火后,比较各电极样品的I-V特性和表面形貌.结果显示无表面处理时接触电阻最小,且溶剂处理后残留的电解质会影响电极的电流特性和稳定性.用俄歇电子能谱(AES)测试不同元素随深度分布情况,发现高温退火过程中NiO的形成有自动清洁p-GaN表面的作用,因此对于Ni基电极前表面处理不是必需的.再将样品用10%草酸溶液处理,其I-V特性显示接触电阻率明显下降;X射线光电子能谱(XPS)测试显示草酸溶液处理后电极表面Ni含量显著减少,而Au元素信号峰增强,说明表面高阻P型NiO被有效除去,对改善接触性能具有实际意义.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 12:59:57导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T04:59:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3675.pdf: 625496 bytes, checksum: cc90172b0bb59f43c99e43af4e457824 (MD5) Previous issue date: 2009; 中国科学院知识创新工程重要方向项目; 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 中国科学院知识创新工程重要方向项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15733]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 颜廷静,陈良惠. Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响[J]. 半导体光电,2009,30(4):541-545. |
| APA | 颜廷静,&陈良惠.(2009).Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响.半导体光电,30(4),541-545. |
| MLA | 颜廷静,et al."Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响".半导体光电 30.4(2009):541-545. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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