InP-base resonant tunneling diodes
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang Yang
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 30期号:6页码:48-50 |
| 中文摘要 | we have fabricated in_0.53ga_0.47as/alas/inp resonant tunneling diodes (rtds) based on the air-bridge technology by using electron beam lithography processing.the epitaxial layers of the rtd were grown on semi-insulating (100) inp substrates by molecular beam epitaxy.rtds with a peak current density of 24.6 ka/cm~2 and a peak-to-valley current ratio of 8.6 at room temperature have been demonstrated. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15757]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang Yang. InP-base resonant tunneling diodes[J]. 半导体学报,2009,30(6):48-50. |
| APA | Zhang Yang.(2009).InP-base resonant tunneling diodes.半导体学报,30(6),48-50. |
| MLA | Zhang Yang."InP-base resonant tunneling diodes".半导体学报 30.6(2009):48-50. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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