非均匀束团在储存环高频腔中产生的高次模功率
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵振堂 |
| 刊名 | 高能物理与核物理
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 9页码:914-921 |
| 关键词 | 高频腔 束流 高次模 阻抗 功率 |
| 其他题名 | HOMs POWER GENERATED BY UNEQUALLY SPACED AND POPULATED BUNCHES IN STORAGE RING |
| 通讯作者 | 赵振堂 |
| 中文摘要 | 通过分析束流频谱与高频腔高次模的相互作用，提出了计算单束流和双束流储存环中非均匀束团产生的高频腔高次模功率的方法，推导出了这两种情况下的一般通用公式，并对所得到的解析结果进行了比较和讨论． |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/217494]  |
| 专题 | 高能物理研究所_加速器中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵振堂. 非均匀束团在储存环高频腔中产生的高次模功率[J]. 高能物理与核物理,1999(9):914-921. |
| APA | 赵振堂.(1999).非均匀束团在储存环高频腔中产生的高次模功率.高能物理与核物理(9),914-921. |
| MLA | 赵振堂."非均匀束团在储存环高频腔中产生的高次模功率".高能物理与核物理 .9(1999):914-921. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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