高能γ射线与物质作用中的三电子产生
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王宏民; 孙献静
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| 刊名 | 佳木斯大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 2013 |
| 期号 | 1页码:95-97 |
| 关键词 | 三电子产生 阈能 产生截面 |
| 中文摘要 | 应用量子电动力学理论以及实验室参考系与质心参考系的变换方法,探讨了高能γ射线与物质的相互作用过程:三电子产生.通过对三电子产生的阈能、截面及次级γ射线辐射的探讨和分析发现:三电子的产生阈能为2.04MeV,产生截面随入射光子能量增加而急剧增加,但随原子核序数的增大而减小. |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/217517]  |
| 专题 | 高能物理研究所_加速器中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王宏民,孙献静. 高能γ射线与物质作用中的三电子产生[J]. 佳木斯大学学报(自然科学版),2013(1):95-97. |
| APA | 王宏民,&孙献静.(2013).高能γ射线与物质作用中的三电子产生.佳木斯大学学报(自然科学版)(1),95-97. |
| MLA | 王宏民,et al."高能γ射线与物质作用中的三电子产生".佳木斯大学学报(自然科学版) .1(2013):95-97. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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