基于3单元模型的怀特电路特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 齐欣 ; 徐中雄
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| 刊名 | 原子能科学技术
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 4页码:475-479 |
| 关键词 | 怀特电路 谐振电抗器 互感系数 寄生频率 |
| 其他题名 | Model of 3-Mesh White Circuit |
| 通讯作者 | 齐欣 |
| 中文摘要 | 文章基于3个单元的怀特电路模型,重点分析了回路中各个部件对系统特性的影响。结果表明,谐振电抗器的互感系数的不一致性将激励寄生频率,从而在每个谐振电抗器与电容支路中产生寄生电流,并导致磁铁电流的畸变。在理论分析基础上提出了电源及谐振部件的设计原则。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/217558]  |
| 专题 | 高能物理研究所_加速器中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齐欣,徐中雄. 基于3单元模型的怀特电路特性[J]. 原子能科学技术,2006(4):475-479. |
| APA | 齐欣,&徐中雄.(2006).基于3单元模型的怀特电路特性.原子能科学技术(4),475-479. |
| MLA | 齐欣,et al."基于3单元模型的怀特电路特性".原子能科学技术 .4(2006):475-479. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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