Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 薛海韵 ; 成步文; 薛春来
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| 刊名 | 材料科学与工程学报
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 27期号:1页码:118-120 |
| 中文摘要 | 采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的. |
| 英文摘要 | 采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:07导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3723.pdf: 721413 bytes, checksum: f95dc226910bead1a4fcbaba849690cb (MD5) Previous issue date: 2009; 973基金,国家自然科学基金,"863计划"基金; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 973基金,国家自然科学基金,"863计划"基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15797]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薛海韵,成步文,薛春来. Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长[J]. 材料科学与工程学报,2009,27(1):118-120. |
| APA | 薛海韵,成步文,&薛春来.(2009).Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长.材料科学与工程学报,27(1),118-120. |
| MLA | 薛海韵,et al."Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长".材料科学与工程学报 27.1(2009):118-120. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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