用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 苏少坚 ; 白安琪; 胡炜玄; 樊中朝; 成步文; 薛春来
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 58期号:7页码:4997-5001 |
| 中文摘要 | 用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500-1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜(SEM)测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序,孔深度可达到125 nm.对该样品进行热氧化处理后进行光致发光(PL)测试,结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的TO声子辅助的硅带边发光,并实现了显著发光增强,对这种增强效果的物理机理进行了理论分析.该结构具有的独特光学特性为利用这一途径改变硅的弱发光性质,乃至实现硅基高效发光带来曙光. |
| 英文摘要 | 用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500-1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜(SEM)测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序,孔深度可达到125 nm.对该样品进行热氧化处理后进行光致发光(PL)测试,结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的TO声子辅助的硅带边发光,并实现了显著发光增强,对这种增强效果的物理机理进行了理论分析.该结构具有的独特光学特性为利用这一途径改变硅的弱发光性质,乃至实现硅基高效发光带来曙光.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:10导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3731.pdf: 546644 bytes, checksum: 3671db66081a64ed062ce93b07ee2d86 (MD5) Previous issue date: 2009; 国家重点基础研究发展计划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金; 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展计划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15813]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏少坚,白安琪,胡炜玄,等. 用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构[J]. 物理学报,2009,58(7):4997-5001. |
| APA | 苏少坚,白安琪,胡炜玄,樊中朝,成步文,&薛春来.(2009).用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构.物理学报,58(7),4997-5001. |
| MLA | 苏少坚,et al."用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构".物理学报 58.7(2009):4997-5001. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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