p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 季海铭 ; 曹玉莲; 陈良惠; 杨涛; 马文全
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 58期号:3页码:1896-1900 |
| 中文摘要 | 对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为17.5 cm~(-1),与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义. |
| 英文摘要 | 对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为17.5 cm~(-1),与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:10导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3732.pdf: 498463 bytes, checksum: 4a84a5701a88a4e9203e34e422d569b1 (MD5) Previous issue date: 2009; 国家高技术研究发展计划(863),中国科学院"百人计划",国家自然科学基金; 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家高技术研究发展计划(863),中国科学院"百人计划",国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15815]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 季海铭,曹玉莲,陈良惠,等. p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究[J]. 物理学报,2009,58(3):1896-1900. |
| APA | 季海铭,曹玉莲,陈良惠,杨涛,&马文全.(2009).p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究.物理学报,58(3),1896-1900. |
| MLA | 季海铭,et al."p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究".物理学报 58.3(2009):1896-1900. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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