与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高利朋 ; 韩培德; 毛雪
|
| 刊名 | 光通信技术
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 33期号:5页码:38-40 |
| 中文摘要 | 硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景.文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四种方式来制备硅基光电探测器的研究现状和研究进展,并对四类器件的结构,制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍. |
| 英文摘要 | 硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景.文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四种方式来制备硅基光电探测器的研究现状和研究进展,并对四类器件的结构,制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:12导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3737.pdf: 331673 bytes, checksum: d5d8c7de6ecb5b048f293dfdd44d051e (MD5) Previous issue date: 2009; 国家自然科学基金,国家自然科学基金重点项目,国家重点基础研究发展规划(973计划); 中国科学院,半导体研究所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家自然科学基金重点项目,国家重点基础研究发展规划(973计划) |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15825]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高利朋,韩培德,毛雪. 与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究[J]. 光通信技术,2009,33(5):38-40. |
| APA | 高利朋,韩培德,&毛雪.(2009).与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究.光通信技术,33(5),38-40. |
| MLA | 高利朋,et al."与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究".光通信技术 33.5(2009):38-40. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。