SiN薄膜三阶非线性增强的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋江婷 ; 郭亨群 ; 王加贤 ; 吴志军 ; 王国立 ; 沈海波 ; 徐骏 ; 陈坤基 ; 王启明 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 34期号:5页码:418-422 |
| 中文摘要 | 采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(ncSi-SiN_x)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)的测定,对薄膜进行了结构及所包含硅晶粒大小的表征.采用皮秒激光器运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10~(-8) esu和10~(-8)m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性的增强归因于量子限域效应. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划(973计划),国家自然科学基金重点项目,集成光电子国家联合重点实验室开放课题,华侨大学科研基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15831]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋江婷,郭亨群,王加贤,等. SiN薄膜三阶非线性增强的研究[J]. 半导体技术,2009,34(5):418-422. |
| APA | 宋江婷.,郭亨群.,王加贤.,吴志军.,王国立.,...&王启明.(2009).SiN薄膜三阶非线性增强的研究.半导体技术,34(5),418-422. |
| MLA | 宋江婷,et al."SiN薄膜三阶非线性增强的研究".半导体技术 34.5(2009):418-422. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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