可用于弱光探测器的量子线研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩勤 ; 贺继方; 杨晓红; 牛智川
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| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 30期号:1页码:11-15 |
| 中文摘要 | 以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度.文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果.采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了OaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构. |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家"973"计划项目,国家"863"计划项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15851]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩勤,贺继方,杨晓红,等. 可用于弱光探测器的量子线研究进展[J]. 半导体光电,2009,30(1):11-15. |
| APA | 韩勤,贺继方,杨晓红,&牛智川.(2009).可用于弱光探测器的量子线研究进展.半导体光电,30(1),11-15. |
| MLA | 韩勤,et al."可用于弱光探测器的量子线研究进展".半导体光电 30.1(2009):11-15. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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