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第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵德刚
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 58期号:1页码:450-458 |
| 中文摘要 | 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(TC)升高,并在1.0eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2(F)态跃迁的较强的光吸收,而Mn掺杂GaN时位于1.3eV处的吸收峰消失;Si共掺后没能使TC升高,且在低能区无光吸收现象. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金(批准号:5 6 2 18),广东省自然科学基金(批准号: 6 25 83),广东省科技攻关计划(批准号:2 6A1 8 2 1),广州市科技攻关重大项目(批准号:2 5Z12D 71),粤港关键领域重点突破项目(批准号:2 7A 1 5 1 8)资助的课题 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15875]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵德刚. 第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN[J]. 物理学报,2009,58(1):450-458. |
| APA | 赵德刚.(2009).第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN.物理学报,58(1),450-458. |
| MLA | 赵德刚."第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN".物理学报 58.1(2009):450-458. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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