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Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵德刚
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 57期号:10页码:6513-6519 |
| 中文摘要 | 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金(批准号:5 6 2 18),广东省自然科学基金(批准号: 6 25 83),广东省科技攻关计划(批准号:2 6A1 8 2 1),广州市科技攻关重大项目(批准号:2 5Z12D 71),粤港关键领域重点突破项目(批准号:2 7A 1 5 1 8)资助的课题. |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15885]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵德刚. Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究[J]. 物理学报,2008,57(10):6513-6519. |
| APA | 赵德刚.(2008).Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究.物理学报,57(10),6513-6519. |
| MLA | 赵德刚."Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究".物理学报 57.10(2008):6513-6519. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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