中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张宇 ; 汪卫敏
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 57期号:11页码:7210-7215 |
| 中文摘要 | 理论研究了平面电磁波通过n型重掺GaAs薄膜的透射谱.当GaAs薄膜两表面刻上亚波长的周期性沟槽结构时,透射谱在中红外波段出现了异常的透射增强现象.把这一现象归因于表面等离子体模式和波导模式的耦合.通过优化结构参数可以得到最大的透射效率.此外,发现随着掺杂浓度的升高,透射谱线中的透射峰逐渐向高频方向移动,最优化后透射峰值随掺杂浓度的升高而逐渐降低.这是由于掺杂浓度的改变,导致了不同的等离子体频率和电子碰撞频率,从而影响了激发模式和薄膜对电磁波的吸收. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金(批准号:6 876 49)资助的课题 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15911]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张宇,汪卫敏. 中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应[J]. 物理学报,2008,57(11):7210-7215. |
| APA | 张宇,&汪卫敏.(2008).中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应.物理学报,57(11),7210-7215. |
| MLA | 张宇,et al."中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应".物理学报 57.11(2008):7210-7215. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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