单光子源低密度长波长InAs／GaAs量子点的制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛智川
|
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 14期号:5页码:915-918 |
| 中文摘要 | 通过优化分子束外延生长条件，得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs／GaAs量子点。使用极低的InAs生长速率（0．001单层／秒）可以把量子点的密度降低到4×10~6cm~(-2)。这些结果使得InAs／GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中。 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 中国博士后科学基金资助项目（No.2 6 39 385） |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15919]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川. 单光子源低密度长波长InAs／GaAs量子点的制备[J]. 功能材料与器件学报,2008,14(5):915-918. |
| APA | 牛智川.(2008).单光子源低密度长波长InAs／GaAs量子点的制备.功能材料与器件学报,14(5),915-918. |
| MLA | 牛智川."单光子源低密度长波长InAs／GaAs量子点的制备".功能材料与器件学报 14.5(2008):915-918. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。