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高功率半导体激光器线阵列的波长锁定技术

文献类型:期刊论文

作者皮浩洋 ; 辛国锋 ; 程灿 ; 瞿荣辉 ; 方祖捷 ; 陈高庭
刊名红外与激光工程
出版日期2008
卷号37期号:5页码:822
关键词波长锁定 半导体激光器线阵列 体布拉格光栅 外腔
ISSN号1007-2276
其他题名W avelength locked high power semiconductor laser linear array
中文摘要高功率半导体激光器光谱随温度和工作电流的变化比较大,光谱线宽比较宽,这些缺点直接限制了其实际应用。因此,高功率半导体激光器波长稳定技术的研究是激光领域的一个重要研究方向。对波长稳定技术进行研究。实验用体布拉格光栅(VBG)作为反馈元件与高功率半导体激光器线阵列,构成可以对其波长进行锁定的外腔激光器。分析了外腔激光器的波长锁定效果与高功率半导体激光器工作电流、冷却温度、工作电流的占空比和“smile”现象等因素的关系。研究结果表明,高功率半导体激光器的工作电流、冷却温度、工作电流的占空比会影响其激射波长,当激射波长与VBG的布拉格波长差值小于3.0nm时,可以得到较好的波长锁定效果,而阵列本身的“smile”现象对其波长锁定的影响不大。
学科主题激光器;半导体激光器
分类号TN248
语种中文
公开日期2009-09-18
源URL[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/1348]  
专题上海光学精密机械研究所_信息光学开放实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
皮浩洋,辛国锋,程灿,等. 高功率半导体激光器线阵列的波长锁定技术[J]. 红外与激光工程,2008,37(5):822, 825.
APA 皮浩洋,辛国锋,程灿,瞿荣辉,方祖捷,&陈高庭.(2008).高功率半导体激光器线阵列的波长锁定技术.红外与激光工程,37(5),822.
MLA 皮浩洋,et al."高功率半导体激光器线阵列的波长锁定技术".红外与激光工程 37.5(2008):822.

入库方式: OAI收割

来源:上海光学精密机械研究所

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