非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵冀
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:9页码:1779-1782 |
| 中文摘要 | 通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓（100）方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域.作者主要研究了这种分布和位错之间的关系,分析其形成过程,并得出在晶体生长及后期退火过程中,位错在晶体中起到了输送砷原子的管道作用,加速了砷原子在晶体中的扩散过程,导致网格位错密集区的大直径砷沉淀的密度相对位错稀疏区和位错线区的砷沉淀密度较低. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15947]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵冀. 非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质[J]. 半导体学报,2008,29(9):1779-1782. |
| APA | 赵冀.(2008).非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质.半导体学报,29(9),1779-1782. |
| MLA | 赵冀."非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质".半导体学报 29.9(2008):1779-1782. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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