用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王柱 ; 柯君玉 ; 李辉 ; 庞锦标 ; 戴益群 ; 赵有文 |
| 刊名 | 武汉大学学报. 理学版
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 54期号:3页码:305-308 |
| 中文摘要 | 利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应. 经900 ℃退火之后,正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除,其体寿命为180 ps.通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线,两者有相似的峰型,结合寿命谱的相关数据表明原生ZnO中不存在H原子填充Zn空位. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目(1 7751 7) |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15979]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王柱,柯君玉,李辉,等. 用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷[J]. 武汉大学学报. 理学版,2008,54(3):305-308. |
| APA | 王柱,柯君玉,李辉,庞锦标,戴益群,&赵有文.(2008).用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷.武汉大学学报. 理学版,54(3),305-308. |
| MLA | 王柱,et al."用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷".武汉大学学报. 理学版 54.3(2008):305-308. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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