外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 甘华东
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 57期号:8页码:5244-5248 |
| 中文摘要 | 利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga_(0.937)Mn_(0.063)As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式. |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金(批准号:1 334 3 ,6 676 54)资助的课题 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16001]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 甘华东. 外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响[J]. 物理学报,2008,57(8):5244-5248. |
| APA | 甘华东.(2008).外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响.物理学报,57(8),5244-5248. |
| MLA | 甘华东."外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响".物理学报 57.8(2008):5244-5248. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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