In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 商丽燕 ; 林铁 ; 周文政 ; 李东临 ; 高宏玲 ; 曾一平 ; 郭少令 ; 俞国林 ; 褚君浩 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 57期号:8页码:5232-5236 |
| 中文摘要 | 在低温强磁场条件下,对In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后,通过分析低磁场下的正磁电阻,得到了每个子带电子的迁移率,结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明,这主要是由两个子带之间的散射引起的. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金(批准号:6 2215 2),国家重点基础研究发展规划(批准号:2 7CB9249 1)资助的课题 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16003]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 商丽燕,林铁,周文政,等. In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应[J]. 物理学报,2008,57(8):5232-5236. |
| APA | 商丽燕.,林铁.,周文政.,李东临.,高宏玲.,...&褚君浩.(2008).In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应.物理学报,57(8),5232-5236. |
| MLA | 商丽燕,et al."In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应".物理学报 57.8(2008):5232-5236. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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