AlGaN/GaN型气敏传感器对于C0的响应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王翠梅 ; 冯春; 肖红领
|
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:7页码:1387-1390 |
| 中文摘要 | 研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于C0的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的C0的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通人1%CO前后器件的肖特基势垒高度的变化和灵敏度随电压的分布关系.结果表明,器件的灵敏度强烈依赖于器件的工作温度和通入的气体浓度,随着温度和浓度的增加,器件的灵敏度呈单调增加,器件在100℃空气气氛中表现出了良好恢复性能. |
| 英文摘要 | 研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于C0的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的C0的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通人1%CO前后器件的肖特基势垒高度的变化和灵敏度随电压的分布关系.结果表明,器件的灵敏度强烈依赖于器件的工作温度和通入的气体浓度,随着温度和浓度的增加,器件的灵敏度呈单调增加,器件在100℃空气气氛中表现出了良好恢复性能.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:42导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3851.pdf: 630200 bytes, checksum: 7d1e40655e4f507493e78adfd4f116d8 (MD5) Previous issue date: 2008; 中国科学院知识创新工程(批准号:YYYJ- 7 1- 2),国家自然科学基金(批准号:6 576 46,6 6 6 2),国家重点基础研究发展规划(批准号:2 2CB3119 3,2 6CB6 49 5,51327 5 5)资助项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 资助信息 | 中国科学院知识创新工程(批准号:YYYJ- 7 1- 2),国家自然科学基金(批准号:6 576 46,6 6 6 2),国家重点基础研究发展规划(批准号:2 2CB3119 3,2 6CB6 49 5,51327 5 5)资助项目 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16007]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王翠梅,冯春,肖红领. AlGaN/GaN型气敏传感器对于C0的响应研究[J]. 半导体学报,2008,29(7):1387-1390. |
| APA | 王翠梅,冯春,&肖红领.(2008).AlGaN/GaN型气敏传感器对于C0的响应研究.半导体学报,29(7),1387-1390. |
| MLA | 王翠梅,et al."AlGaN/GaN型气敏传感器对于C0的响应研究".半导体学报 29.7(2008):1387-1390. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。