InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈良惠
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| 刊名 | 电子科技大学学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 37期号:3页码:460-463 |
| 中文摘要 | 建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统．利用该系统对光．敏面的直径为500岬的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管（APDs）进行测试．测试结果表明，该APD器件在90％击穿电压下的暗电流为151nA，在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好．提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流一电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子．通过该方法得到的InGaAs／InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10-100量级． |
| 英文摘要 | 建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统．利用该系统对光．敏面的直径为500岬的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管（APDs）进行测试．测试结果表明，该APD器件在90％击穿电压下的暗电流为151nA，在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好．提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流一电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子．通过该方法得到的InGaAs／InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10-100量级．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:51导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3894.pdf: 1110667 bytes, checksum: affef4410d4d45a5dd393ef48fe84fab (MD5) Previous issue date: 2008; 中国科学院半导体研究所;厦门大学物理系 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16071]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠. InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测[J]. 电子科技大学学报,2008,37(3):460-463. |
| APA | 陈良惠.(2008).InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测.电子科技大学学报,37(3),460-463. |
| MLA | 陈良惠."InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测".电子科技大学学报 37.3(2008):460-463. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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